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众所周知航空航天技术是国之利器并且正在高速发展,全世界有越来越多的航天器被送入太空中,而太空中存在大量的辐射,这些辐射会对......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
United Monolithic Semiconductor 公司已研制成双频倍频器单片电路,可用于从军事到商业通信系统。芯片背部有 RF 和 DC 接地,简......
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0·5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
台积电(TSMC)在IEDM2008上发布了28nm级工艺技术的开发正向量产顺利推进。该公司首次采用了高k及金属栅极(HKMG)技术。至此,大型半......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
AlGaN/GaN HEMT器件具有高击穿电场(3.3 MV/cm)和高电子迁移率(2×103cm2·V-1·s-1),其在传感、雷达、自动化、通讯等领域拥有巨......
最近TRW公司采用0.1μm栅长的P-HEMT研制成功了目前性能最好的W波段低噪声MMIC。所用的外延材料是用MBE技术制作的,并用电子束光......
采用射频GaAs集成电路的技术,开发GaAsMESFET低功耗电压驱动器电路,电路采用3英寸0.5um栅长GaAs圆片工艺,单路TTL电平输入,输出两......
文中研究了丝绕式和箔式电阻应变片横向效应对测量结果的影响,分析了误差,并指出选用电阻应变片的理论依据。
In this paper, the......
3.7前端工艺2008年,绝大多数的前端工艺技术需求表都需要进行更新。最重要的更新是表FEP4a和4b:热生长/薄膜/掺杂/刻蚀。表FEP4的......
