表面势相关论文
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸......
强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
多晶硅薄膜晶体管被广泛应用于各类电子产品,所具有的较好电学特性与低廉造价使其备受追捧。但由于Poly-Si TFT晶界间存在离散分布......
当前,微波/毫米波器件及其电路日益凸显出其在产业应用中的重要地位,已经成为微电子技术研究的热点。随着微电子技术的发展,对器件......
通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新......
随着现代内燃发动机效率的提高,发动机轴承正面临越来越大的挑战.取决于驾驶情况,例如,燃料高效起动-仃机系统,增加了发动机的起仃......
针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅......
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
根据改进后的三角势阱场近似 ,并考虑量子化效应 ,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型 ,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式 ,并......
上篇论文(Ⅺ)报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文(Ⅻ)报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形......
报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的......
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈......
