肖特基相关论文
石墨烯以其高透光性、高导电性和高稳定性等优异特性在毫米波-太赫兹器件和光电子器件中展现出广阔的应用前景。特别地,通过外加电......
日前，中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作為发射结的垂直结构晶体管“硅-......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
二维（2D）材料因为具有层状晶体结构、极端量子限制效应和独特物理化学性质,受到科研工作者的广泛关注。目前,已经探索出二维材料在光......
本文对功率电路中传统使用的P-i-n整流器及肖特基势垒整流器、同步整流器、结势垒控制的肖特基整流器、砷化锭肖特基整流器等新型......
本文叙述了一种宽带双平衡混频器的原理、设计、制作以及测试结果。此混频器主要有本振组件、微带巴伦、肖特基混频管等部分组成.......
在该文中,我们详尽地搜寻和考察了已有的有关负电容的几乎所有的报导,总结了已取得的结果和尚存在的不足,重点放在对各种测试方法......
GaN基材料因其优越的性质而适于制作新型光电子器件和大功率电子器件，十多年来一跃成为飞速发展的研究前沿。GaN紫外探测器在飞行器......
GaN肖特基紫外探测器在紫外探测方面具有很多的优越性，但其异常大的漏电流，严重影响了探测器的性能和应用。本论文主要针对GaN肖特基......
本文将讨论业界第一款商用沟道式MOS势垒肖特基(TMBS)整流器的设计和制造工艺.这类器件可以与传统平面肖特基和超快恢复二极管的电......
阐述了一种4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池.利用Schottky结取代常用的p-n结,在活度为0.025mCi/cm2的241Am源辐照下进行测试,......
研究和制作了一种新型Au/n-ZnO/p-Si结构的肖特基发射极、异质结集电极紫外增强双极型光电三极管.分析了器件原理,测试了I-V特性、......
由于CdZnTe(CZT)探测器尺寸和能量分辨率受到工艺限制,采用电容性Frisch栅探测器结构,将多个薄的单元探测器并行叠加使其等效为大......
期刊
研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超......
碳化硅作为近年来迅速发展起来的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等......
本文分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的......
利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n......
光探测器是光纤通信系统的重要组成部分。金属-半导体-金属光电探测器(metal-semicondctor-metal photodetector,MSMPD)具有寄生电......
一个新的加速管出厂前,灯丝电压已完成校准、调试,安装、运行几年后的电子枪由于老化导致发射本能逐渐减弱,会发生加速器剂量率的......
论述了车用MS-51系列单片机系统中开关电源的设计。主要采用了美国MAXIM公司生产的MAX744AC芯片稍加扩展，作为汽车用计算机开关型稳......
采用金属离子注入法形式CoSi2/Si肖特基结并分析电学特性.分别测量不同退火条件下样品的I-V、C-V特性,得出了各样品的势垒高度、串......
研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和射线辐照,该探测器都有......
在肖特基晶圆硅片表面制作凸点，完成肖特基产品芯片级封装。本文采用丝网印刷技术与漏印模版相结合，对模版的设计、模版的工艺制作、......
利用原子力显微镜研究了镀Pt探针与生长在银基底上的单根ZnO纳米棒接触的电学特性。实验测得的I-V特性曲线呈基本对称的非线性形状......
本文通过水热法制备ZnO纳米阵列,基于不同生长时间的ZnO阵列构建了Pt-ZnO-Pt型紫外探测器,对器件性能进行了研究.研究表明,器件对......
ZrO/W肖特基式场发射阴极具有高亮度、高稳定、长寿命等显著优势,广泛应用于电子束光刻、电子显微镜领域。本文从基本原理出发,系......
在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极，研究了在N2氛围退火对Al／CdZnTe接触特性的影响。退火温度在100℃到300℃之间变化，退火时......
报道了p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能．器件的测试结果表明，在p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN双异质结......
研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对......
随着周围大气环境日趋恶劣,为了实现对有毒、有害气体的准确检测,对气敏传感器的研究变的越来越重要,获得高性能的敏感材料是关键......
随着MEMS的迅速发展,相配套的微型电源也逐渐成为研究热点。但传统微型电源存在需要补给、寿命短等局限性,不利于在环境恶劣、人类......
飞兆半导体公司FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET，以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接，......
本文介绍LEO SUPRA系列热场发射扫描电子显微镜的性能及特点,主要包括肖特基场发射电子源、电子光学系统以及检测器等.......
采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和......
运用双指数函数模型方法分析了影响GaAs MESFET肖特基势垒结特性的各种因素,编制了结参数提取和1-V曲线拟合软件,实现了通过栅源正......
为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料（Eg〉3.4......
共轭聚合物[9,9-二辛基芴-9,9-双（N,N-二甲基胺丙基）芴]（PFN）及其电解质衍生物具有与高功函数金属形成有效电子注入的能力,可以用作电......
随着碳化硅单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,碳化硅肖特基二极管器件制造工艺中的刻蚀技术日趋重要。针对......
半导体同位素电池由于其寿命长、集成性优良、环境适应性强等特点成为解决MEMS能源问题的理想手段。利用4H-SiC材料的宽禁带特性，制......
为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势,对作为关键工艺的氧化退火技术展开研究,优化SiC/SiO2的界面电学参数从而提升整个......
0 引 言 NO2是大气中的一种有毒气体，它对环境和人体健康的危害性极大，为了检测和保护环境，及时准确地得出环境中NO2的浓度是非......
通过水热法制备了单晶介孔钛酸铅(PbTiO3)纳米线,利用原位透射电子显微技术对其进行了电输运性能研究。结果表明,单根介孔PbTiO3纳......
目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理......
金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PDs)本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关......
200-300nm的深紫外区的半导体光电探测器因其广泛应用而备受关注，而以宽禁带半导体材料ZnO（MgZnO）为基础的紫外探测器是其中一个研究......
