栅极漏电流相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

栅极漏电流相关论文

硅基AlGaN/GaN HEMT高频开关器件研究

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......

学位

硅基 AlGaN HEMT 器件结构击穿电压阈值电压 P-GaN 高频开关器件接触电阻饱和电流密度栅极漏电流栅长

0.25 μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理

GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特......

期刊

砷化镓赝配高电子迁移率晶体管栅极漏电流漏电机制

高k栅介质Ge-MOS器件电特性模拟及制备工艺研究

随着集成电路技术的发展，晶体管的特征尺寸已经减小到45nm 以下，栅氧化层的物理厚度小于2nm，导致栅极漏电流增大，采用高k材料取代二氧......

学位

晶体管栅极漏电流高真空电子束蒸发薄膜淀积衬底温度磁控溅射界面特性

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