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United Monolithic Semiconductor 公司已研制成双频倍频器单片电路,可用于从军事到商业通信系统。芯片背部有 RF 和 DC 接地,简......
Mitsubishi Electric研制出了一种用于汽车雷达用的76GHz MMIC芯片组。这种GaAs PHEMT芯片组包含一个三通道天线开关MMIC,五个发......
A kind of 2 GHz to 8GHz MMIC variable gain low noise amplifier chip,WFD0 0 2 0 ,was designed,and fabricated successfully......
This paper presents the design of a 26-40 GHz monolithic doubly-balanced mixer for high-speed wireless communication. A ......
A 4 W K-band AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) monolithic microwave integrated c......
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
A low noise distributed amplifier consisting of 9 gain cells is presented.The chip is fabricated with 0.15-μm GaAs pseu......
介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级......
介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显......
介绍了一种8～20 GHz单片低噪声放大器的研制过程。本电路采用两级放大拓扑,自偏置结构。采用串联负反馈技术降低噪声系数和输入驻波......
基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两......
<正>南京电子器件研究所首次研制出7~13 GHz连续波40 W大功率限幅器+低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求,将PIN二极管......
基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5~12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等......
该文是对35GHz的三端器件(PHEMT)VCO进行研究,并在国内首先用该器件实现了Ka频段的压控振荡器.研究人员选择的电路拓扑为患联反馈......
报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
采用GaAs PHEMT工艺研制开发了一款6～18 GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图......
随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展.研究了一种采用A1GaAs-......
基于砷化镓增强型pHEMT工艺设计了一款0.5-7.0GHz GainBlock宽带单片集成放大器,其拓扑结构为达林顿结构.为克服E型工艺开启电压随......
