论文部分内容阅读
<正>南京电子器件研究所首次研制出7~13 GHz连续波40 W大功率限幅器+低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求,将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同一GaAs衬底上,同时优化GaAs PIN的层厚度和表面结构、PHEMT的沟道参数和横向结构。建立了大、小信号模型,通过优化设计,