砷化铟相关论文
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
西德斯图加特大学物理系Pilkuhn教授于86年9月承担一项微结构和光电子方面的重点科研项目。该项目是发展尺寸为0.01μm半导体元件......
由于量子点内部的载流子运动三维受限，使得其具有很多独特的特性，如量子尺寸效应、量子隧穿效应、量子干涉效应、库仑阻塞和良好的非......
在太赫兹(THz)波段应用半导体材料作为表面增强拉曼散射(SERS)基底可以获得很大的SERS增强因子,而大的增强因子有着极好的应用前景......
InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构因其高的电子迁移率,大的波尔激子半径以及优异的光电学性质被越来越广泛地应用于光电子学领域......
砷化铟(Indium arsenide，InAs)是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的优秀代表，具有超强的电子迁移率和电子迁移速度，主要在国防通信领域具有较强的......
报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明......
利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化......
