TCAD仿真相关论文
利用Silvaco TCAD软件，研究了电离总剂量（total ionizing dose, TID）效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿......
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验，明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量......
利用SILVACO TCAD软件构建了28 nm MOSFET器件的3维结构，创建了单粒子的迁移率和载流子等仿真物理模型，仿真模拟了重离子入射位置、L......
文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管（GP＿Si/Ge＿DGTFET）。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构，禁带宽度较窄的Ge......
SiC MOSFET凭借其相比Si IGBT更加优越的性能,成为最具前景的电力电子器件之一。而随着SiC材料外延技术的快速发展和制造工艺技术......
随着半导体技术的迅猛发展,突破物理尺寸的限制变得越来越困难,纳米线环栅已成为5nm以下技术节点的核心器件结构。而可重构场效应......
与传统VDMOS、沟槽MOS器件不同,功率器件屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET在沟槽中栅极的下方加入了多晶硅屏蔽栅极,并且与源极的电位相同,在垂......
工作于空间辐射环境中的半导体器件因有源区受到高能粒子轰击而产生的单粒子效应是影响航天器件可靠性的重要因素。随着数字集成电......
SOI LDMOS功率器件的栅极、源极和漏极在同一表面,易于集成,同时具有较快的开关速度和较小的寄生效应等优点,作为电源开关,是高压......
鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥......
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
基于航空航天领域对空间探测的需求,集成电路面临着工作环境充满宇宙辐射的挑战。一方面,宇宙环境中的各种高能粒子会造成电路失效......
随着人类向深空探测领域的迫切发展需要,近年来越来越多的宇航器件均处于极端的空间环境下。太空中存在着大量高能的宇宙射线,工作......
碳化硅(SiC)材料禁带宽以及原子临界位移能高,这些特性使得SiC器件抗辐射能力强,其在空间极端环境下有很大的应用前景,因此进行SiC......
本文以NMOSFET晶体管为研究对象，基于TCAD仿真模拟软件对单粒子瞬态进行模拟分析，系统地研究了温度、线性能量传递(linerenergytrans......
随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能.基于绝缘体......
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究.选取一种CMOS双反相器作为研......
为了获得In0.83Ga0.17As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不合有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进......
