反相器相关论文
某型装备在进行遥测信号采集分析时发现测试转阶段断电瞬间，引信执行级“动作（t）”信号异常跳变。该文针对引信出现该异常“动作（t）”信......
期刊
二维过渡金属硫族化合物（TMDC）凭借着其原子级的厚度和优异的半导体性质成为后摩尔时代最有希望延续摩尔定律的材料。硫化钼（MoS2）是其......
集成电路的发展一直遵循摩尔定律快速前进,随着晶体管的数量不断增加,同时芯片的性能也在不断提高。目前集成电路的尺寸已经进入纳......
以InGaZnO为代表的氧化物半导体薄膜晶体管具有电子迁移率高、截止电流低、稳定性强、均匀性好、可见光透明和制备温度低等诸多优......
近年来,一维（1D）纳米结构由于其独特的理化性质、优异的传输特性、大的比表面积以及良好的稳定性而受到广泛关注。以In2O3为代表的1D......
人类探索太空取得的成就与集成电路技术密不可分,卫星、飞船以及星际探测器等航天器中的系统都是由集成电路实现的。处于宇宙中的......
整流器是将交流信号转变为直流信号的器件,在逻辑电路、电力传输等领域有着重要应用。当前,市场上使用的整流器主要是通过硅基PN结......
近年来,石墨烯材料在电子元器件领域的应用研究逐渐受到广泛关注,包括晶体管、柔性电子器件、气体传感器、电容器、存储器等方面。......
集成电路工艺已发展到5纳米节点,器件物理尺寸的持续缩减已难以满足市场对于电路性能和功耗的需求,研究者提出了多种新型低功耗半......
作为电子系统中重要的接口模块,模数转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC）被应用于各类电子设备之中。随着半导体制造工艺和集成......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
采用通用集成电路设计了一种三相可控硅触发电路．该电路利用同步信号的积分与移相信号比较产生触发脉冲，抗同步信号的高频干扰和波形......
为了降低传统增量型Σ-ΔADC在同精度情况下的量化时钟周期数,提高转换速率,提出了1种采用粗细量化的2步式增量放大型ADC.该ADC采......
摘 要：CMOS反相器作为集成电路最基本的门电路，是电子科学与技术、电子信息工程、集成电路设计等专业学生的必备知识与技能。MOS反相......
随着集成电路特征尺寸的逐渐缩小,MOSFET发展受到了严重限制,同时芯片功耗与性能之间的矛盾也日益突出。为了解决芯片功耗与性能之......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为平板显示设备中的核心开关元件,其重要性不言而喻。目前,基于金属氧化物半导体的TFT由......
由于短沟道效应,硅基半导体器件的发展即将接近预测的5nm极限尺寸。石墨烯的发现引起了新型二维层状材料的研究热潮。因为二维材料......
基于航空航天领域对空间探测的需求,集成电路面临着工作环境充满宇宙辐射的挑战。一方面,宇宙环境中的各种高能粒子会造成电路失效......
二维过渡金属二硫化物(2D TMDs)由于其原子层厚度、合适的带隙和较高的迁移率等优点而被认为是应用于消费电子产品领域的高潜力候......
学位
为使无线电话机增加通话距离,改善通话效果,我们设计试制的主台天线系列,系全向高增益共轴天线阵。经试用,四元天线于180km台距各......
针对独立三栅FinFET器件及其反相器的单粒子瞬态效应展开了深入研究.首先分析了N型独立三栅器件中最敏感区域的位置以及不同工作电......
在无线通信、雷达、电子对抗等微波系统中,功率分配器是一种广泛使用的微波元件。传统的Wilkinson功分器只能工作在单一的频段及其......
1 FMSD型防火门自动闭门释放器FMSD型系列产品包括FMSD-5和FMSD-7型防火门自动闭门释放器,以及与其配套的SXQ型顺序器(带去盲角)......
针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特......
期刊
制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1.当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电......
