CMOS反相器相关论文
近几十年,晶体管的特征尺寸一直按照摩尔定律逐渐缩小,来到纳米尺度后,越来越严重的短沟道效应极大阻碍了器件性能的进一步提升。......
过去的几十年中,互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺主导了主流的半导体集成电路（IC）技术。控制短沟道效应、提高工作速度、降低功耗密度......
吸收剂量是辐射效应研究中最重要的物理量,器件参数随吸收剂量的变化规律是效应研究的依据。由于电子元器件尺寸小,无法直接测量器......
作为工业生产和科学研究等活动获取信息的主要途径和手段,传感器为人们探知新事物、测量和控制提供着必要的条件和依据。电阻式和......
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究.选取一种CMOS双反相器作为研......
CMOS电路中同时采用NMOS管和PMOS管,电路结构简单且规则,静态功耗非常小,在集成电路中用的较多。CMOS反相器是静态CMOS逻辑电路的......
图1是经典的Colpitts振荡器电路,它生成一个有固定占空比的时钟信号。用一个电压比较器代替其中的CMOS反相器门(图2),就可以获得一......
双端固定石英音叉谐振梁是振梁加速度计中的重要力敏传感器,驱动电路与其相配合,实现谐振梁在谐振频率点处的信号输出,进而测量加......
