FinFET相关论文
随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁......
基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......
近几十年来随着CMOS器件尺寸日益缩小,芯片制造工艺中的变异源给器件性能的稳定性和可靠性带来巨大挑战。因此,工艺变异影响的定量......
近年来,在无线通信产业的带动下,半导体相关产业开始了飞速发展,随着晶体管特征尺寸的减小,平面型器件的短沟道效应愈发严重,其性......
静态随机存储器（Static Random-Access Memory,SRAM）,在便携式移动电子设备、可穿戴电子设备以及片上系统（Systems On Chip,SOC）等嵌入......
工作于空间辐射环境中的半导体器件因有源区受到高能粒子轰击而产生的单粒子效应是影响航天器件可靠性的重要因素。随着数字集成电......
近三十年来,半导体技术的发展遵循着摩尔定律,即器件特征尺寸大概每两年缩短一半。尺寸微缩造成有源器件面临着严峻的自热效应,会......
鳍式场效应晶体管（FinFET）是目前半导体行业中16/14技术节点中的主流器件结构。然而,随着晶体管器件尺寸的不断缩小,硅基FinFET技术......
随着传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。短沟道......
学位
使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现......
拥有3D结构的FinFET不仅本身具有较低的阈值斜率,同时,还有可以加强栅极电压控制、减少短通道效应、提高能量效率、降低栅极延迟等......
随着半导体技术的发展,为了抑制短沟道效应、减少漏电流,具有三维结构的Fin FET器件应运而生,并且已逐渐成为集成电路产业中的主流......
几十年来,摩尔定律作为集成电路行业的“黄金准则”一直引领着半导体器件向着不断缩小的方向发展。传统平面MOSFET在深亚微米尺寸......
在短短的半个多世纪里MOS器件飞速发展,出于性能和成本的考虑MOS器件的尺寸越来越小,然而伴随着尺寸的缩小平面MOSFET的问题越来越......
学位
随着CMOS器件尺寸已经接近物理极限,短沟道效应严重阻碍了半导体器件的进一步发展。虽然FinFET器件已经证实能够有效地抑制短沟道......
随着航天事业的蓬勃发展,人们越来越认识到辐射环境中高能粒子对电子系统的瞬时辐射损伤不容忽视,辐射导致的软错误甚至永久性损伤......
We investigate the hot carrier injection effect (HCI) and how X-ray radiation impacts the HCI of 22-nm nFinFETs as a fun......
（国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心 湖北武汉 430000） 摘 要：由于智能电子技术的不断发展，采用传统晶体管的摩尔定律已经......
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题.文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Me......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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日前,Achronix正式对外公布其Speedster22i FPGA系列的细节,该系列分为HD和HP两个产品系列,采用了英特尔22nm3D工艺制造,而在Achro......
