TCAD相关论文
本文使用TCAD工具对AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真，在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构，并优化了......
随着国产LDO器件在装备中的大量使用，为保障元器件应用可靠性，需针对LDO输出噪声指标测试方法进行研究。结合实际验证工作，基于TCAD仿......
随着半导体技术的快速发展,传统晶体管器件的特征尺寸不断微缩到达物理极限,实际发展速度已经落后于摩尔定律的预测速度,这对半导......
MOSFET器件的尺寸缩小带来较明显的短沟道效应、泄漏电流增大、功耗增加等问题,限制了集成电路的发展。由于受热力学输运玻尔兹曼......
学位
碳化硅（SiC）材料本身具有宽禁带、高击穿场强、高热导率以及高饱和电子漂移速率等优点,可以用于高压、高频、高功率及高温领域。相比......
学位
近年来,双电层晶体管（Electric-Double-Layer Transistors,EDLTs）作为一种新型器件,凭借其大电容、低电压、多栅调控等特点受到广泛......
磁随机存储器（MRAM）是一种基于电子自旋性质实现信息非易失性存储的新型存储设备,是下一代通用存储器解决方案的有力竞争者。本文针......
基于Al GaN/GaN HEMT工艺的射频功率放大器芯片,因为其良好的性能被广泛应用于各种先进设备中。但是作为功率器件,高温对器件性能......
随着集成电路发展,电路及芯片性能及低功耗的需求日益提升,这就要求器件性能的提高。为实现器件的高性能及低泄漏,器件设计者们一......
伴随着集成电路产业的高速发展,当前主流的半导体制造工艺已进入7nm尺寸。为了满足规模更大、速度更高、功耗更低的集成电路芯片的......
学位
CMOS图像传感器（CMOS image sensor,CIS）因具有低成本,低功耗,集成度高等优点而广泛应用于生产生活中。随着其应用范围不断扩大,在太......
集成电路工艺已发展到5纳米节点,器件物理尺寸的持续缩减已难以满足市场对于电路性能和功耗的需求,研究者提出了多种新型低功耗半......
近三十年来,半导体技术的发展遵循着摩尔定律,即器件特征尺寸大概每两年缩短一半。尺寸微缩造成有源器件面临着严峻的自热效应,会......
近年来,低温多晶硅薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)被广泛应用在平板显示领域,实现像素矩阵与驱动电路的板上集成。然而在实......
GaAs基半导体材料凭借着其优良的性能,促使GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,赝高电子迁移率晶体管）器......
With Shockley’s approximate-channel theory and TCAD tools,a high-voltage,ultra-shallow junction PJFET for the input sta......
A novel structure of a VDMOS in reducing on-resistance is proposed.With this structure,the specific on-resistance value ......
Using Technology Computer-Aided Design(TCAD) 3-D simulation,the single event effect(SEE) of 25 nm raised source-drain Fi......
在利用高密度线性阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件的成像质量。文章对厚度为100μm的背照式PIN光电探测器线......
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentau......
钳位电压(Vpin)是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量。在辐照条件下,V_(pin)......
以GaN为代表的宽禁带化合物半导体材料,在微波大功率等应用领域表现出有出色的性能,成为越来越多研究工作者们关注的焦点。在过去......
GaN因其禁带宽、击穿电场高、电子迁移率高、耐高温及抗辐照等优点被视为制备具有高工作温度、高工作频率以及高抗辐照水平功率器......
中子辐射存在于大气层、地表、核爆等环境中,其引发的单粒子效应对航空航天的电子设备稳定工作有较大的影响。随着集成电路工艺朝......
InAs/AlSbHEMT具有高电子迁移率,高电子饱和漂移速度,高2DEG面密度。这些特点使它成为了高速,低功耗,以及低噪声应用最具竞争力的......
近些年,随着集成电路的发展,传统硅基场效应晶体管的尺寸和性能逐渐趋近极限,研究新的替代器件十分有必要。石墨烯在力学、光学、......
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电......
研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真。通过理论分析,结合TCAD软件,......
利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块建立了Mg2Si/Si异质结光电探测器的模型,在此基础上计算了不同Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电......
