MOS结构相关论文
位移传感器涉及到半导体、计算机和机械工程等一系列的交叉学科,其在信息科技领域中扮演着越来越重要的作用,在测量和自控领域有着......
硅、锗MOS结构是硅基和锗基半导体器件的基本结构单元,作为集成电路基本器件单元的MOSFET和CMOS中的栅区就是典型的MOS结构。MOS结......
InAs/AlSbHEMT具有高电子迁移率,高电子饱和漂移速度,高2DEG面密度。这些特点使它成为了高速,低功耗,以及低噪声应用最具竞争力的......
微电子学在当今新技术革命中占有核心地位，大规模集成电路的普遍使用既是微电子学发展的重要成果，也是其重要标志。然而随着器件尺寸......
超大规模集成电路的迅速发展,导致器件的特征尺寸在不断缩短,当其特征尺寸缩小到65nm以下或更小时,传统的SiO2栅介质厚度需要低于1......
研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用......
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及......
基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它......
基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实......
