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第五代移动通信技术随着5G商业化而更加广泛的被使用,更好地服务于我们的日常工作与生活,增强了人与人、人与物、物与物的通信与连......
利用垂直维度的异构集成是其未来的一个发展方向,三维堆叠芯片作为其代表技术,通过利用硅通孔（Through Silicon Via,TSV）实现不同功......
RF MEMS开关是MEMS技术的重要应用,是实现控制微波信号传输的关键器件,是构成可调滤波器、多位移相器、多位延时器等射频MEMS器件......
异构集成技术是通过集成不同材料和工艺的器件,提高芯片整体的性能的一种高密度、高融合度的集成技术。异构集成器件能够在设计之......
硅通孔（TSV）技术是堆叠器件三维封装领域新的技术方案。器件采用先进的3D封装互连方式,能够进一步加速产品的时钟频率、降低能耗和提......
射频微系统在雷达、通信、电子对抗等领域具有重要应用价值。随着射频前端向着小型化、高度集成化的方向发展,具有更高互连密度的B......
基于Al GaN/GaN HEMT工艺的射频功率放大器芯片,因为其良好的性能被广泛应用于各种先进设备中。但是作为功率器件,高温对器件性能......
三维集成采用硅直通孔（Through-Silicon Via,TSV）实现堆叠式互连,满足高速低功耗的需求,成为延伸摩尔定律的突破性技术。然而,利用TS......
近年来,随着电子产业的高速发展,集成电路（IC）功能不断增强,晶体管比例也在不断缩小。然而,日渐缩小的半导体尺寸已经触及了纳米尺度......
随着微电子技术的飞速发展，以互补金属氧化物半导体(CMOS)技术为主的集成电路技术已经进入纳米级。特征尺寸的不断减小使得摩尔定律......
随着微系统技术向三维立体集成不断发展,Interposer技术逐渐成为关注的焦点,是未来电子系统小型化和多功能化的重要技术途径,具有......
期刊
应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速......
本文提出以苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)或硅为介质层材料,用碳纳米管(Carbon Nanotube,CNT)填充的屏蔽型硅通孔(Shielded Th......
为了延续摩尔定律的发展,芯片逐渐向三维集成技术拓展。在三维集成技术中,3D PDN(Three-Dimension Power Delivery Network)为整个......
三维封装硅通孔(TSV)技术由于其具有较高的互连密度和更短的互连长度,进而能实现更好的电性能、更低功耗,更小尺寸以及更轻的质量......
为了满足电子产品更轻、更小、更薄、功能性更强的社会需求,发展3D封装技术势在必行。其中,使用硅通孔方式将芯片之间连接的一种新......
学位
在TSV制作和使用过程中，TSV需要承受不同的温度循环，由于转接板上铜和硅的热膨胀系数的不匹配性，其界面处容易发生开裂和分层，导致......
自凡纳滨对虾(Litopenaeus vannamei)被引进我国后,近几年来成为养殖规模和产量最大的对虾品种。伴随着从国外引进凡纳滨对虾亲虾......
硅通孔(TSV)在制造过程中容易产生各类故障缺陷,导致3D芯片合格率降低.为了解决这一问题,提出一种新的对角线六边形冗余结构,对均......
本文介绍了适合穿戴式产品的超小型环境光传感器及ams公司采用TSV制造技术的TSL2584TSV，其精度与灵敏度更高。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
[摘要] 芯片工艺流程微缩和低介电值材料的限制，3D堆叠技术被视为能否以较小尺寸制造高效能芯片的关键，而硅通孔（TSV）可通过垂直导通整......
硅通孔(TSV)技术是实现三维封装的一种关键技术。通过有限元分析方法,研究了三种结构硅通孔的热应力,提出聚对二甲苯填充结构在热......
对高深宽比(6∶1)深孔的铜电镀工艺进行了大量实验研究,通过调整电镀时间和电流密度,以及优化电镀前后的样品表面处理以及清洗方式......
采用硅通孔(TSV)技术的三维堆叠封装,是一种很有前途的解决方案,可提供微处理器低延迟,高带宽的DRAM通道.然而,在3D DRAM电路中,大......
