【摘 要】
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针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏-安特性.而且比PDE模型易于求解,从而大大提高了电路模拟的速度.通过模拟几个具体的RF电路,将这个模型与PDE模型作了比较,结果表明两者吻合得很好.
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