探测率相关论文
高性能大规模小像元短波红外InGaAs焦平面探测器是新一代航天遥感仪器向高空间分辨率、高能量分辨率、高时间分辨率发展需要的核心......
随着光电技术的发展,光电探测器现如今已经成为各行业重要的基础元件之一。光电探测器将待测光信号转化为电信号,经过放大器的电信......
有机-无机杂化钙钛矿材料具有光学吸收系数大、直接带隙可调、载流子迁移率高和载流子扩散长度长等一系列优点而有利于实现材料中......
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石......
研究了长波8~15μm波段,阻值大于440ΩMCT光导红外探测器,探测率在10kHz,14μm大于4×1010 cm·Hz1/2/W,在1kHz和10kHz中心频率下......
基于钽酸锂(LiTaO3)的热释电探测器具有灵敏度高、热释电系数大、响应范围宽等优点而被广泛应用于非分光红外气体检测.在LiTaO3热......
基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺......
良好的道路照明对降低交通事故发生率至关重要。与亮度和照度相比,小目标可见度是一个更为有效的指标且被国际照明协会(CIE)和北美......
近些年研究发现,通过设计合成能级、带隙、电荷迁移性能等均可调节的窄带隙共轭聚合物,进而可以制备出具有较宽光谱响应、较高灵敏......
针对红外焦平面阵列自身存在的占空比小、光能利用率低的问题,提出利用光胶技术将方形孔径球面微透镜阵列与红外焦平面集成。从理......
研究了背照式InGaN p-i-n结构的紫外探测器的制备与数值模拟。通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长p-GaN/i-InGaN/n-GaN......
探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指......
近十年来,红外技术的应用范围得到了飞跃的发展。除了在工业上或医学上使用新的红外测量方法外,在军事上,红外探测技术的应用占据......
本文主要针对p-GaAs太赫兹探测器进行了结构优化,设计了谐振腔以期获得更高的量子效率。并在优化的基础上,计算了探测器的综合性能......
介绍了两类主要的紫外图像传感器技术的最新研究进展,根据其特点对它们在特定紫外成像应用需求中的优势和不足进行了简要分析,最后......
本文就热释电探测器建立了既有横向热量扩散又有纵向热量扩散的综合理论模型,导出了较为普遍的响应度公式；并根据普遍的公式推导出......
本文就热释电探测器建立了二维热量扩散的综合理论模型,推导出了普遍的响应度公式；由此可以计算出这些器件的噪声电压；再根据噪声电......
GaAs基QWIP由于具有优异的材料均匀性、灵活的能带剪裁以及成熟的生长制备工艺等优势在红外探测领域具有广泛的应用前景，但传统的Ga......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
分析了N型HG面空间电荷层中的表面电势的变化情况 ,计算了Auger复合寿命及光导器件的探测率 ,讨论了表面电荷密度、表面附合速率及......
期刊
从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光......
为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料......
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线......
由于具有高探测率、高可靠性以及可室温工作等特点,InGaAs红外探测器在航天遥感领域具有重要的应用,而平面型的InGaAs红外探测器是......
对空域中弱小目标的探测是红外成像防御与制导的关键技术。由于空域中弱小目标距离较远,在红外探测器上呈现为无纹理特征的弱小点......
期刊
研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管.分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析......
采用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了n型掺杂的应变InGaAs/A1GaAs多量子阱结构,制作成3-5μm波段的量子阱红外探测器,响应峰值波......
