子带间跃迁相关论文
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09......
微腔与量子阱子带间跃迁的强耦合相互作用因其在基础研究和应用研究中重要的研究价值，近年来吸引了越来越多人的研究兴趣。为了提高......
超晶格量子阱结构的带隙可调性和子带间光跃迁性使得长波、甚长波红外探测成为可能。量子阱结构的阱宽、垒厚、垒高和掺杂等参数的......
通过10带k·p 模型计算，设计了能够激发3μm波长的InxGa1-xAs1-yNy/AlAs量子阱结构的量子级联激光器有源区。InxGa1-xAs1-yNy/AlAs ......
用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga0.25N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦......
近日,一个来自德国、意大利和英国的研究团队成功开发出一种关键的光子组件,实现了半导体量子阱的子带间跃迁与金属腔的光子模式超......
介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理，提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs／AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案，分析了器件的性能......
利用半导体布洛赫方程，讨论了量子阱在沿其平面方向偏振的太赫兹场驱动下的光学吸收谱。研究结果揭示了半导体量子阱在沿平面方向偏......
在有效质量近似下,从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式,以GaAs/AlxGa1-......
用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响．发现极化场会导致电压降的出现，从......
低维半导体大部分特征能量处于太赫兹波段，因此太赫兹场与低维半导体有很强的相互作用。低维半导体中太赫兹光吸收谱的研究是目前太......
半导体系统的光学和电学性质强烈地受到外加的电场和磁场影响，在外加电场和磁场作用下表现出许多有趣的物理效应和现象，并在实际光电......
半导体光放大器(SOA)作为高速全光信号处理的重要非线性器件,在波长转换、全光逻辑和3R再生等方面具有广泛应用。因此有必要去发展......
AlxGa1-xN/GaN量子阱具有大的导带偏移、强的极化效应、大的LO声子能量和大的电子有效质量等特点。大的导带偏移有利于在AlxGa1-xN......
本文紧扣量子阱中电子跃迁特点，围绕量子阱红外探测器（QWIP）的器件物理和器件应用的研究，分析QWIP的主要物理性质和器件性能，阐述QWIP及......
量子级联激光器已被证明与传统的二极管激光器具有不同的发光原理,它是在子带间跃迁基础上的一种新型激光器。在理论上量子级联激......
ZnO作为拥有巨大发展潜力的新型光电材料,不论在材料生长、掺杂改性还是器件制备等方面都得到了诸多关注。近些年来,重稀土元素钇（Y......
简要阐述调制光谱方法、重点是光调制反射光谱的基本原理。讨论电场调制反射光谱和光调制反射光谱在半导体混晶、离子轰击-激光退......
