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基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺......
依据真空离子镀环境下靶电流之本质是真空腔内电子由阴极(靶材)向阳极迁移的通量，及在dV/dI>0向dV/dI0转变为dV/dI......
高功率脉冲磁控溅射技术是近年来发展起来的一种新型的物理气相沉积方法,等离子体密度可高达1018m-3数量级,靶材原子的离化率可高......
应用闭合磁场非平衡磁控溅射离子镀系统,研究了溅射靶电流、偏压和Ar流量对偏流密度的影响。结果表明,偏流密度随着偏压和靶电流的......
