基区相关论文
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较......
文章提出了一种基于子电路的IGBT模型,并对IGBT的温度特性进行模拟。用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的......
二氧化硅乳胶是一种新型的液态扩散源。为满足需要,本所除研制并生产掺杂单个元素的乳胶源外,还研制出几种掺杂双元素的二氧化硅......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路......
1问:IGBT的基本概念是什么?答:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)也称为绝缘栅双极型晶体管,它本质上是一个场效应晶体管MO......
科学家发现，大脑发育的基因表达在怀孕的前几个月和十几岁的青少年时期最活跃。 在《神经元》杂志上发表了文章的研究人员说，人类......
一、前言 SiO_2乳胶扩散源的出现,开辟了氧化扩散工艺的新领域,由于它具有一般固态,液态源扩散所没有的一系列优点,可以它的出现......
我们在生产XFC-80双运算放大器,和F010低功耗运算放大器时,隔离预淀积开始用液态源扩散,经常出现R_口偏大,饱和时间长,尤其是在盛......
一、问题的提出众所周知,生产中硅PNP管与硅NPN管β的控制范围,前者是很离散的,通常同一大圆片上β范围有时可以从20到200都有,最......
帝、修、反、今天已处于全世界革命人民的包围之中,行将灭亡。但是,它们并不甘心失败,还要做垂死挣扎。疯狂地扩军备战,大力发展......
用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅......
我们对隔离、基区制备两道工序,以相同条件进行低温预扩散,通过调整再分布的条件,获得隔离的深结和基区的浅结.此工艺减少和简化......
采用涂层铝扩散基区工艺的低频大功率管集电结反向击穿特性,容易出现负阻现象.对发生负阻击穿时的芯片作表面观察,看到了与发射结......
本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT（Serial Bipolar Static Induction Transistot）,成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规......
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这......
将硼微晶玻璃源均匀扩散条件及浓度控制方法用于ＲＣＧＴＯｐ基区扩散，研制成功２００Ａ／１０００ＶＲＣＧＴＯ。
The boron glass-ceramic source uniform diffusion conditi......
童年的梦 1929年10月19日，米哈伊尔·彼得罗维奇·西蒙诺夫出生于苏联顿河河畔罗斯托夫州卡缅斯克一沙赫京斯基区。他的父母......
本文叙述了Van der Pauw(VDP)测试结构的基本原理及测量方法。试制了七种这类的测试结构。用圆形VDP结构和匹种不同形状的十字形结......
【摘 要】对于SiGe异质结双极晶体管器件的设计来说，最重要的就是对它的基区如何设计，基区设计的不同也是SiGe异质结双极晶体管性能......
针对已有的晶体硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度测量模型和测试方法中存在的不足,建立利用光谱响应研究硅太阳电池基区少数载......
