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电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
介绍了1 700 V SiC SBD器件的结构设计、制造工艺、静态特性测试及可靠性摸底试验。通过模拟仿真得到了最佳的漂移区结构和器件结......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞......
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基于半导体物理和IGBT基本结构,深入论述了IGBT关断机理,推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律:关断时间随电压的增大而增大,......
以美国 Y1 4.5.1 M- 1 994标准为标志的公差数学定义理论使以两点测量法为基础的传统公差理论面临挑战。基于漂移区的尺寸公差语义......
