半绝缘相关论文
全绝缘管型母线具有载流量大,集肤效应低、散热条件好、允许应力大、机械强度高等优点,但在实际运用过程中暴露出的问题较多,特别......
近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业......
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达1......
报道用一块砷化镓基片兼作激光腔镜、光导开关和储能电容，制作千伏级纳秒脉冲发生器的实验结果。对所介绍的三功能元件的光学和电子......
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝......
１概述第１０届磷化铟及相关材料国际研讨会（ＴｅｎｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＩｎｄｉｕｍＰｈｏｓｐｈｉｄｅａｎｄＲｅｌａｔｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎＰＲＭ＇９８）于１９９８年５月１１日至１６日在日本科学城筑波召开。这次会议由...
1 Overview The Tenth International Co......
据《科学时报》2005年6月9日报道。中科院半导体所的科技人员重点研究和解决了大直径半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶从研究到生产的重......
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道......
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结......
半导体器件及集成电路的可靠性,很大程度地依赖于半导体表面的纯化技术。因此,自晶体管发明以来,在半导体器件制造领域,为达到器......
用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅......
中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈......
金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)是半导体材料生长的一门新技术,MOCVD材料在半导体激光器等方面有着重要作用。本文用的材料是生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分......
碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越......
参照GB1207-2006《电磁式电压互感器》标准中接地电压互感器与不接地电压互感器的定义，提出了全绝缘型电压互感器与半绝缘型电压互......
利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依......
对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP......
