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碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料，近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升，外延膜生长速率和品质逐......
本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对......
<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用......
采用脉冲ＴＥＡＣＯ２激光诱发ＳＩＨ４＋ＣＨ４等离子体化学气相反应，合成了粒度分布均匀的纳米ＳｉＣ球型陶瓷粉末，采用傅里叶红外光谱、Ｘ射线衍射、元素分析、透射电子......
本文较详细地介绍了用化学气相沉积(CVD)方法制取钨制品,如钨管、W-Re合金管、毛细管、棒材等的设备与工艺,化学气相沉积涂层金属......
针对当前磁控溅射台存在真空自动准备和手动自动切换不完善等缺点,以DV602磁控溅射台为例,对其电控系统进行了改造。设计了以PLC为......
用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low pres......
核聚变装置的工作原理和太阳有着异曲同工之妙，太阳巨大的能量来自核聚变反应。在太阳的中心，温度高达2000万摄氏度，在高温高压条件下......
<正> 一种新型的厌氧发生器——BJ-A型厌氧发生器,在解放军第3医院研制成功。经1年多临床使用,表明效果良好。 近年来,厌氧菌的培......
多用途采暖炉 专利号：ZL03254545.2 0335630.3 介绍：已获得外观设计和实用新型两项专利的多用途采暖炉，最近又获得巴黎国际......
一、选择题（每小题6分，共42分） 1. 将NH4I（s）置于密闭容器中，在一定温度下发生下列反应：......
本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温......
PECVD SiN膜在半导体器件表面钝化推广应用中,采用一种SiO-SiN双重结构形式.本文介绍了有关的试验数据、理论分析以及实际应用.
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对于硅片来说,当在其上制作出集成电路芯片以前,一面要在硅片上复盖各种物质,一面将根据需要再度分步清除。作为复盖在硅片上的物......
在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件......
用于空气质量监测的氮氧化物分析仪是环境监测技术领域的高端仪器,反应室设计的质量将直接影响氮氧化物分析仪的性能。针对化学发......
1、产品及其简介rnNMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线,面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体......
为了适应检测大气中低浓度二氧化硫的需要,提出两个物理模型来定量分析反应室的横截面半径和内壁吸光率对反应室信噪特征的影响,计......
阐述了电液压脉冲水处理的原理,并通过实验发现,采用电液压脉冲水处理时,反应室的几何尺寸和形状对处理效果有着比较重要的影响.旋......
为了安全、方便、可靠地进行气体敏感单元气敏性能测试,设计了一套基于恒流配气方式的微气体传感器测试系统.根据道尔顿分压定律和......
