硅外延相关论文
传统的功率器件一直是用纵向的低掺杂漂移层作为耐压支持层,但近年来,一种称为“超结”的CoolMOS器件逐渐流行,这种“超结”结构很......
目前硅外延生长常用方法是以电子级二氯二氢硅为反应气体,采用化学气相沉积的气相外延法.二氯二氢硅生产工艺主要有歧化法、氢化法......
利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这......
河北普兴电子科技股份有限公司 【摘 要】外延炉内部对称性是炉子设计中非常重要的因素，本文主要从对称性出发来说明2061气流和......
报道了采用超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术 .研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及......
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