第三代半导体相关论文
以我国移动通信发展场景阐述走中国式现代化发展道路的重要意义。从基层通信员工的视角回顾我国移动通信发展经历的1G空白、2G跟随......
碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料，近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升，外延膜生长速率和品质逐......
目前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工......
第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能,是新一代移动通信、新能......
简单回顾了半导体材料的发展历史,并以基于氮化镓的高电子迁移率晶体管为例,介绍了第三代半导体器件的产热机制和热管理策略.以β......
本文结合SiC MOSFET国际标准进展,分析了阈值电压漂移、偏压温度不稳定性、体二极管退化测试标准的制定难点;同时,根据国内外产业......
湘江以西，骄阳朗照下的中联智慧产业城一天天“丰满成型”。 该项目总投资约为1000亿元，占地面积超万亩（1亩≈666.7平方米），新建近30......
以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高......
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
半导体材料与技术是推动信息时代前进的原动力和发动机,是现代高科技的核心与先导。半个多世纪的实践表明IT产业的每一次重大发展......
据新华社日前报道,上海硅酸盐研究所20余台具有自主知识产权的碳化硅晶体生产炉已成功稳定生产高质量碳化硅晶体。据碳化硅晶体项......
由北京第三代半导体材料及应用联合创新基地牵头,联合天津、河北两地第三代半导体技术创新战略联盟的京津冀第三代半导体联合创新......
厦门市芯光润泽科技有限公司第三代半导体SiC(碳化硅)功率模块研发及产业化项目昨日在翔安高技术园区举行开工仪式,规划总投资20亿......
<正>第三代半导体材料将掀起一场怎样的技术革命?我国布局第三代半导体产业将会遇到什么问题?有独到见解和实际工作经验的中国工程......
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在......
近年来随着第三代半导体的快速发展,通讯电子技术发生了翻天覆地的变化。尤其是其应用场景越发的趋向于多频,大功率的环境,而能同......
第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导......
ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注。高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制......
第三代半导体与功率器件的快速发展对封装互连技术提出了新的需求,纳米铜、银烧结互连技术因其优异的导电、导热、高温服役特性,成......
从文献计量角度出发,整理了国内外2000～2018年间第三代半导体材料SiC、GaN的科技论文,并从整体发展轨迹与研究内容两方面,对SiC、Ga......
目前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工......
<正>随着移动通信技术的发展,LTE等准4G移动通信网络已经大规模部署,以LTE-A为代表4G标准已开始投入商用,下一代的5G通信标准也已......
