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宽禁带半导体氧化镓薄膜生长及其紫外敏感特性

来源 :TFC`15全国薄膜技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yusaihua

【摘 要】

：

　　作为一种宽禁带半导体,单斜结构的β-Ga2O3近年来备受人们关注,2012年,日本信息通信研究所首次报道了基于β-Ga2O3的场效应晶体管,初步显示了其在功率电子器件领域的潜在

【作 者】

：

盛拓 夏勇 钱临轩 刘兴钊 李言荣 

【机 构】

：

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

【出 处】

：

TFC`15全国薄膜技术学术研讨会

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

宽禁带半导体 氧化镓 薄膜生长 紫外探测 功率电子器件 Ga2O3 直接带隙半导体 场效应晶体管 

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　　作为一种宽禁带半导体,单斜结构的β-Ga2O3近年来备受人们关注,2012年,日本信息通信研究所首次报道了基于β-Ga2O3的场效应晶体管,初步显示了其在功率电子器件领域的潜在价值.除功率电子器件外,β-Ga2O3还是一种直接带隙半导体,禁带宽度达4.9 eV,其吸收带边对应于日盲紫外区,将在日盲紫外探测方面具有重要应用价值.

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