Ga2O3相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
紫外光电探测器在军事与民用等多个方面具有广泛的应用,如导弹预警,空间通讯,火灾监测,高压电线路检测等。宽禁带半导体具有禁带宽......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
宽禁带半导体在日盲紫外探测方向具有广阔而重要的前景,所以近年来,以Ga2O3为代表的第三代半导体成为人们研究和讨论的热点问题,其......
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。......
第三代半导体材料具有禁带宽度大和击穿场强高等优点,因此在紫外探测和电力电子方面具有巨大的发展前景和研究意义。尤其是β-Ga2O......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
长期以来Si在半导体应用中占据主要地位,但也面临着材料可扩展性和开发潜力的局限,另外随着芯片尺寸逐渐缩小,可能逼近摩尔定律极......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型超宽禁带半导体材料,相比于第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料,具有能带更宽、临界击穿电场更......
氧化镓(Ga_2O_3)材料是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有4.8e V的超大的禁带宽度和8MV/cm的超高的理论击穿场强。同时,它的Balig......
肖特基势垒二极管是基于金属-半导体接触的单极整流器件,其开启电压较低。由于肖特基二极管中少子的电荷存储效应甚微,其反向恢复......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种宽禁带的氧化物半导体材料,它是继Si C、Ga N后第三代半导体材料的新的一员。Ga_2O_3有着优异的光电特性,良......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型的宽禁带透明导电半导体,具有五种已知的同分异构体。Ga_2O_3因其4.4～5.3e V的超宽带隙、高击穿场强、大......
RF performance evaluation of p-type NiO-pocket based β-Ga2O3/black phosphorous heterostructure MOSFE
The radio-frequency (RF) performance of the p-type NiO-pocket based β-Ga2O3/black phosphorous heterostructure MOSFET ha......
GaN是一种优秀的宽带隙化合物半导体材料，具有宽的直接带隙，室温下禁带宽度为3.39eV；GaN具有强的原子键、高的热导性等性质以及强的热......
宽带半导体Ga2O3和GaN由于其独特的性能及应用价值成为现今学术界和商业界研究的热点。至今低维的Ga2O3和GaN已经用各种方法被制备......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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Eu-doped GaOOH nanoparticles with size of 5-8 nm were prepared by hydrothermal method using sodium dodecylbenzene sulfon......
用X-射线荧光光谱直接压片法测定氧化铝中杂质GaO3含量.该方法快捷方便,准确度、精密度高,能满足科研和工业生产的需要.......
