单电子晶体管的原理及其与传统硅集成电路工艺相兼容的加工方法

来源 :第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jemi0926

【摘要】

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单电子晶体管(SET)是一种基本的单电子器件,基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应工作,具有库仑振荡效应和库仑台阶效应等量子效应.本文重点介绍采用电子束光刻(EBL)技术、感应耦

【作者】

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龙世兵;刘明;陈宝钦;

【机构】

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中国科学院微电子中心微细加工及纳米技术研究室(北京)

【出处】

：

第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

【发表日期】

：

2003年期

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单电子晶体管(SET)是一种基本的单电子器件,基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应工作,具有库仑振荡效应和库仑台阶效应等量子效应.本文重点介绍采用电子束光刻(EBL)技术、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术及图形相关氧化(PADOX)等硅工艺技术制作出源、漏、栅电极形成单电子晶体管的方法.该方法提供了一种新颖、可靠的制作单电子晶体管的工艺手段.

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