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碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域......
以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽带隙半导体材料正在逐渐兴起。与传统的半导体材料相比,GaN具有良好的化学稳定性,高击穿电压,低导通......
作为能量变换和传输的重要器件,大功率晶闸管在诸如高压直流输电等领域得到广泛应用.随着电网对输电功率容量的要求越来越高,提高......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型超宽禁带半导体材料,相比于第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料,具有能带更宽、临界击穿电场更......
功率MOS场效应晶体管在功率器件领域发展迅猛,高压VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为功率MOS的主要器件之一,引起了相关......
为使3 300 V及以上电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作结温达到150℃以上,设计了一种具有高结终端效率、结构简单且工艺可实......
近年来，功率集成电路得到了突飞猛进的发展，集成度越来越高。作为最常见的高压功率器件之一，VDMOS更多地集成在芯片里，而不仅仅以分立......
IGBT是将微电子技术和电力电子技术结合起来的新一代功率半导体器件，是当前半导体分立器件的高端产品，应用范围广，市场需求大，发展前景......
目前,世界性能源危机十分严重,因此,节约能源对整个人类社会的生存和发展具有重大的意义。节能灯由于节能效果十分显著而逐渐成为......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)是在功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)基......
学位
每一项电力电子新技术的出现和新装置的诞生都是以新型电力半导体器件的问世为契机。因此,电力半导体器件是电力电子技术的基础和......
超3G的移动通信系统是一种全IP的系统,它融合了因特网和移动通信的优点。BRAIN(基于IP的宽带无线接入网)的发展就是要把基于HIPERL......
设计了一个500V纯场限环终端结构。在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数......
对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在2......
