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分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
随着电力电子技术的飞速发展,电力电子系统已经被普遍应用于多个领域,如:新能源发电、电动汽车、船舶制造、航空航天。在这些领域......
摘 要：功率晶闸管使用寿命与其工作温度密切相关，本文就对功率晶闸管通态压降和结温的关系进行了研究，并设计出了测试功率晶闸管的热......
以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善SIT......
