忆阻器在高密度存储、存内计算、神经形态计算领域具有极大的应用潜力,但其有限的开关比限制了阵列集成度的提高。为了不牺牲忆阻......

随着集成电路工艺技术的迅速发展,MOSFET的特征尺寸减小至纳米级,器件功耗逐渐成为制约集成电路发展的主要因素之一。隧穿场效应晶......

多年来,随着集成电路的快速发展,晶体管的工艺尺寸从微米级缩小到纳米级。工艺尺寸的缩小使得集成电路的集成度提高,性能提升。不......

隧穿场效应管（TFET）是后摩尔时代的低功耗（LP）器件的候选者之一,因为它可以突破亚阈值摆幅（SS）（60 m V/dec）的极限,从而在更低的供应电压下......

当前,如何显著减小纳米集成电路功耗已成为国内外研究和关注的焦点问题,众多新型低功耗半导体器件脱颖而出,而隧穿场效应晶体管(TF......

随着集成电路的发展,当今超大规模集成电路工艺中的核心器件仍为基于漂移扩散物理机理的场效应晶体管。然而,随着器件特征尺寸不断......

隧穿场效应晶体管(TFET)基于带带隧穿原理工作,其亚阈值摆幅能够突破MOSFET亚阈值摆幅的理论极限60mV/dec,具有较大的研究价值和应......

遵循摩尔定律,传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）集成电路芯片特征尺寸不断缩小,器件集成度逐步加大,然而随着芯片性能的......

针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压Ga......

对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启......