晶向相关论文
碳元素在地球上无处不在,人类就是碳基生命体。自从2004年石墨烯的问世掀起了二维纳米材料研究的热潮,层状二硫化钼和二硫化钼/石......
本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较......
以标准单模光纤包层的外表面作为基底,通过改进的恒温蒸发对流引导合理控制溶剂蒸发温度和液体表面下降的速度,使用垂直沉积法在其......
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下......
中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉......
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面......
本文主要介绍了使用酸腐机对硅片进行的酸腐蚀实验。通过混酸的温度和混酸中溶液的配比的改变、相同的条件下也会得到不同的腐蚀速......
遵循摩尔定律,传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）集成电路芯片特征尺寸不断缩小,器件集成度逐步加大,然而随着芯片性能的......
本文建立了一种晶面—晶向投影图,以揭示体心立方晶体{100)、{110)和{112)晶面簇中诸晶面以及在这些晶面上各重要晶向。根据该投影......
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺......
本文综述制作三维硅半导体器件的各向异性腐蚀技术。描述(100)和(110)硅面上的V形槽和U形槽结构。评价了业已报导的几种各向异性腐......
本文报道,通过重复腐蚀研究和两种晶向外延硅中层错的退火现象,发现退火后层错的消除并不都是从外延层表面开始的,往往也会发生在......
<正> 众所周知,硅具有一系列的特性,使之成为很有吸引力的半导体材料。主要的理由是资源丰富,二氧化硅在地壳中占28％,这就使硅材料......
本文论述了用于固态传感制备的〈100〉和〈110〉晶向硅片各向异性腐蚀的特点和机理;对掩模图形边缘取向和(100)硅矩形台而凸角处的......
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°......
