极化掺杂相关论文
当前,如何显著减小纳米集成电路功耗已成为国内外研究和关注的焦点问题,众多新型低功耗半导体器件脱颖而出,而隧穿场效应晶体管(TF......
近年来，在高温、高频、大功率器件等领域有着广阔应用的GaN基材料，一直是研究的热点。此材料体系作为第三代宽禁带半导体材料的代表，......
针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压Ga......
