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利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电......
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光......
英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓(......
对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm~2的电子束辐照实验。实验结果显示,电......
日本东芝公司开发第二代的具有世界上最高亮度的蓝绿色LED。使用硒化锌,发光波长为500nm,减少了波长模糊现象,能发出单色性非常好......
近年来,GaN基半导体器件尤其是InGaN/GaN LED在晶体生长、薄膜制备以及光电器件制备等方面取得多项重大技术突破,已广泛用于各种显......
本文设计了一系列的金属铂(II)、钯(II)配合物。通过替换与金属直接耦合的功能配体或者在配合物的配体上引入不同的取代基来调节配......
在有效质量近似下,通过变分方法研究了束缚于闪锌矿InGaN/GaN量子点中的激子态.详细研究了振子强度和发光波长随InGaN/GaN量子点结......
期刊
利用变分原理及有效质量近似,研究In组份对InxGa1-xN/GaN量子阱光学性质的影响,结果表明,考虑内电场的影响后,电子与空穴复合率减......
