在高频电子设备以及电力电子装置中，开关器件的动态性能是重要的指标之一，通常采用双脉冲测试电路来测试开关器件的动态性能。为降低......

随着人们对Si材料的研究趋近物理极限,材料性能更佳的SiC材料成为功率半导体芯片研究重点。与Si IGBT结构相比,SiC MOSFET芯片存在......

SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体，目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合，SiC MOSFET关断暂......

针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、......

为设计一款保护J-TEXT托卡马克电子回旋管的高压固态开关,新型宽禁带半导体SiC-MOSFET凭借低开关损耗、高耐压和MHz级别的开关频率......

功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰及开通时间、关断时间等问题是评估一款器件乃至电力系统装置可靠性的重要因素。文中从......

随着电力电子行业的飞速发展,绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)迅速成为了研究的热点。近年来,IGBT正......

碳化硅(SiC)MOSFET是一种很有前景的开关式电力电子变换器器件。更宽的带隙、更快的开关速度和更高的导热系数,使得其在高压、高温......

作为电力电子变换器核心之一的功率半导体器件,其每次更新都会使变换器性能得到提升。第三代宽禁带半导体器件以GaN为代表,与Si器......

与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度.由于这些优异......