GaN器件相关论文
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）以其独特的材料和结构特性,具有高工作频率、高功率密度,以及高效率的特性,是目前无线系统的研究......
数字控制LCL型并网逆变器的固有控制延时会影响原有谐振阻尼方案的控制特性，从而降低并网逆变器在弱电网下的鲁棒性。该文首先基于......
期刊
氮化镓（GaN）器件是第三代功率半导体的重要代表,GaN功率器件相比与传统硅（Si）器件有更强的耐压能力,相同耐压下导通电阻极低,损耗小,其......
半导体电子器件技术作为推动社会信息化发展的基石,在过去六十年里不断地更迭进步,传统硅（Si）材料器件的性能逐渐逼近理论极限无法满......
随着第三代宽禁带半导体技术的发展,在航空航天、通信、数据中心等领域,小型化开关电源被日益广泛的应用,高频高功率密度化的开关......
GaN器件的工艺和技术进步,将输出功率提高到数百瓦甚至数千瓦量级。但是,大功率GaN器件相应的使用规范和标准,如接地要求,在仿真设......
近几十年来,互联网技术飞速发展,基础电信设备和移动设备的规模大幅度增加,这对能源的利用和供电系统的性能均提出了严峻的挑战。......
随着社会的发展与技术的进步，人们对电力电子变换器效率和功率密度的要求日益提高，使得第三代功率半导体如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)......
现代LTE移动通信系统采用峰均比较高的调制信号，需要用功率回退的方式来保证线性度，然而功率回退又会造成效率的降低，这给通信基站 RR......
航空高压DC-DC变换器是航空高压直流电源系统的重要组成部分,需要具有较高的功率密度和变换效率。采用GaN器件可以提高航空高压DC-......
反激式电路具有诸多优点,比如拓扑结构简单、输入输出电气隔离、元件数量少、可靠性高等,因此在开关电源领域得到了广泛的应用。但......
燃油汽车的应用极大改善人类的生活质量,但燃油汽车大量消耗不可再生能源,产生环境污染和噪声污染。针对这种情况,电动汽车应运而......
学位
随着近年来开关电源逐渐向小型化、高频化、高功率密度的方向发展,基于氮化镓和碳化硅等宽禁带半导体材料的功率开关器件因其导通......
本文采用GaN器件设计了S波段的功率放大器,采用负载牵引的方法获得最佳负载阻抗值,优化最大功率输出,结果显示,在中心频率2.14GHz......
在通讯设备和新一代数据中心服务器等领域，小型化电源模块被广泛应用。高频化是提升电源功率密度的重要手段，然而高频化引起的开关损......
随着能源互联网与分布式电网的发展,未来电网正朝着以整合可再生能源、能源存储以及现代智能负载为目标的交直流混合动力网方向快......
学位
为了提高功率放大器(Power Amplifier,PA)的效率,提出一种基于双向牵引与谐波抑制的对称式Doberry功率放大器(Symmetrical Doherty......
作为新一代半导体功率器件,GaN(氮化镓)宽禁带半导体功率场效应管具有许多Si材料不具备的优异性能,可降低损耗,提高效率,完成器件......
随着新一代宽禁带器件的出现,应用于LLC谐振变换器上的功率半导体器件的总体性能有了进一步的提高。本文以氮化镓晶体管为研究对象......
