过应力相关论文
SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体，目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合，SiC MOSFET关断暂......
期刊
动态雪崩是限制功率器件安全工作区(SOA)的关键因素。功率器件在过应力条件下关断时,由于内部自由载流子对电场的调制,动态雪崩发......
随着高科技产业和微电子信息产业的飞速发展,大规模、超大规模集成电路等已广泛应用于电子,通讯、航空、航天、军工乃至于人们日......
本实验是模拟缓冲材料在大型包装件中的使用情况.对比并研究了EPE缓冲材料在预压缩前后所表现出的力学性能和缓冲性能.通过应力-应......
在室温下对HDPE材料进行控制位移的实验，结果表明：在加载条件下进行应力松弛，应力随时间的增长而减小；而卸载条件下的应力松弛过程中，若......
