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时变击穿相关论文
直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为
基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实......
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MOS结构
时变击穿
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MOS structure
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