本文综述了低杂波电流驱动的基本理论，并且通过数值模拟，研究了碰撞耗散效应对低杂波驱动电流剖面的影响。结果表明，快电子的径向扩散与碰撞耗散是一对竞争效应。径向扩散使低杂波驱动电流剖面变平、展宽，而快电子的碰撞耗散又会部分抵消其扩散的影响，从而使电流剖面更接近低杂波的功率沉积剖面。而对于偏轴的低杂波功率驱动情形，适当增加快电子的耗散，特别是等离子体芯部的耗散，能够有效的帮助维持一个中间凹陷的环向电流剖面。这或许可以作为一种用于帮助维持反向磁剪切位形的手段，从而达到改善等离子体约束的目的。　　 另外，我们对一个射线追踪程序CURRAY做了调试与定性的验证，并且利用CURRAY对HT-7托卡马克装置的低杂波电流驱动实验作了一些初步的模拟。我们还对CURRAY做了修正，从而考虑了快电子径向扩散效应对其模拟结果的影响。这也为将来进一步的研究准备了相对可靠的模拟分析工具。