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文中对SiGe异质双极晶体管(HBT)室温条件下的伽马辐照效应进行了研究.研究结果表明,伽马辐照总剂量达到1.0×10<6>rad(Si)时,其直流电流增益极大值的减小量不超过8％,表现出了良好的抗伽马辐照特性。其电流增益的减小主要是集电极电流的减小引起的,而不像其它文献那样是由于基极电流的增加产生的。文中同时研究了辐照时偏置条件对器件辐照特性的影响,发现辐照时的偏置条件对SiGe HBT器件的辐照效应影响不大.文中对实验现象进行了分析和讨论。