【摘 要】
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本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场
【机 构】
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中国科学院 半导体所,北京,100083
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场的产生与分布是如何对全耗尽器件产生影响的。通过器件模拟发现,辐射过程中器件在不同的偏置条件下,其有源区和埋氧层中产生不同的电场分布。而陷获电荷的产生与分布强烈地依赖电场,因此电场的不同分布必然造成陷获电荷的不同,进而对器件的电学性能产生不同的影响。模拟结果表明,在本文所研究的三种不同偏置条件下,OFF态下背沟道处的陷获电荷密度最高,阈值电压的漂移器件的泄漏电流也最大。
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