【摘 要】
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本文分析了当前主流半导体加工工艺中的离子注入、干法刻蚀和光刻胶灰化等工艺过程对抗辐照功率VDMOS栅氧化层产生损伤的机理,针对提高抗辐照功率VDMOS栅的可靠性进行了栅氧
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄市179信箱35分箱,050051
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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本文分析了当前主流半导体加工工艺中的离子注入、干法刻蚀和光刻胶灰化等工艺过程对抗辐照功率VDMOS栅氧化层产生损伤的机理,针对提高抗辐照功率VDMOS栅的可靠性进行了栅氧侧面钝化技术研究。通过对栅氧化层侧面钝化屏蔽离子注入对栅氧的影响,并同时减小栅氧受到的等离子体工艺损伤(P2ID),有效控制了工艺过程在抗辐照功率VDMOS栅氧化层中引入的损伤,提高了抗辐照功率VDMOS栅的可靠性。采用该技术研制出的器件样品经总剂量300krads/Si辐照实验,阈值电压为1.75V,达到实用要求.
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