【摘 要】
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砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所 砷化镓工程专业部,石家庄市179信箱35分箱,050051
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可靠的试验结果,改进电路的制作方法,提高电路的抗辐射能力的基础上,对3BitGaAs加权相加电路进行了全面的抗辐射技术研究,从该电路设计到工艺制造和测试整个过程,进行了全面的抗辐射技术研究.本文主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,试验结果表明,该电路除了抗中子、γ总剂量外,还有较好的抗γ剂量率的能力。
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