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该文报导了MBE技术生长GaAs/AlGaAs量子阱材料制作的长红外探测器的研究结果。将实验测量值同理论计算结果进行了比较，分析了量子阱势垒的不对称问题。
GaAsAlGaAs多量子阱的势垒不对称性
【摘 要】
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该文报导了MBE技术生长GaAs/AlGaAs量子阱材料制作的长红外探测器的研究结果。将实验测量值同理论计算结果进行了比较，分析了量子阱势垒的不对称问题。
【机 构】
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上海航天局第八零三研究所(上海)
【出 处】
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第五届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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1999年6期
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