论文部分内容阅读
GaAsAlGaAs量子阱红外焦平面阵列探测器及相关问题的研究
【机 构】
:
中国科学院上海技术物理研究所(上海)
【出 处】
:
第五届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
:
1999年6期
其他文献
该文介绍一种GaAs 6位DAC,时钟频率能够达到500MHz,采用全耗尽型GaAs MESFET制作,平面凹槽工艺,最小线宽Lum,输入与ECL电子兼容,输出能驱动50c载设计采用了倒“T”型权电流结构,片上
随着我国当前社会不断发展过程中人们对电力需求的不断增加,各种电力设备的使用也在不断增加的过程中,实现电力系统的良好供应是当前社会发展的需求,是人们生活的需求,更是经
该文就GaAlAs/GaAs DH结构红光LPE生长中,光强与外延层厚度,表面浓度,波长等的调整与控制进行了有关的探讨,并通过LPE的生长实践,获得了预想的结果。
该文给出了三种GaAS MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明,在相同本振功率激励下GeAs MMIC双栅混频器具有良好变频特性,栅混频器指标次之,漏混频器结构最简单,但变
该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件,对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间