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GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As量子阱的界面特性研究
【机 构】
:
科学院半导体所超晶格国家开放实验室(北京)
【出 处】
:
第九届全国凝聚态光学性质学术会议
【发表日期】
:
1998年期
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