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该文给出了三种GaAS MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明，在相同本振功率激励下GeAs MMIC双栅混频器具有良好变频特性，栅混频器指标次之，漏混频器结构最简单，但变频特性不如前两种。
三种GaAs MMlC MESFET混频器性能比较
【摘 要】
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该文给出了三种GaAS MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明，在相同本振功率激励下GeAs MMIC双栅混频器具有良好变频特性，栅混频器指标次之，漏混频器结构最简单，但变
【机 构】
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科学院上海冶金研究所
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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