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本文介绍巨磁阻效应的机理及同CMOS集成构成MRAM的工作原理,在指出MRAM同各种半导体存储器相比具有一系列优点的同时,给出优良的抗辐射非易失存储器-SOI基MRAM的构想。
优良的抗辐射非易失存储器─S0I基的MRAM
【摘 要】
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本文介绍巨磁阻效应的机理及同CMOS集成构成MRAM的工作原理,在指出MRAM同各种半导体存储器相比具有一系列优点的同时,给出优良的抗辐射非易失存储器-SOI基MRAM的构想。
【机 构】
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中国科学院半导体所,北京912信箱,100083
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年期
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