隧穿磁电阻相关论文
自旋和电荷是电子固有的内禀属性,前者主要用于信息的处理和传输,而后者大多用于信息的储存,通常由磁性材料完成。若一种材料同时......
磁性隧道结以电子的自旋属性为基础,利用隧穿磁电阻效应和自旋转移力矩效应实现其微波功能。作为一类自旋电子学器件,它继承了自旋......
近年以来，高自旋极化磁性材料由于其重要的理论研究价值和在新型自旋电子器件中的广泛应用前景而成为凝聚态物理领域的研究热点。例......
随着信息存储技术的快速发展,人们对电子器件提出了微型化、高速度、高密度、低功耗、非易失的要求。为了满足上述要求,研究者寄希......
电子的电荷属性以及自旋属性,是人类信息技术产业发展革新之根本。电荷属性运用到人类生产生活中,诞生了传统电子学,使信息产业和......
2004年石墨烯的成功制备使得科学界对碳纳米材料的研究得到了进一步的加强.纯净的双层石墨烯通常是由两层耦合的石墨烯单层以AB(或......
颗粒膜的巨磁电阻(GMR)或隧穿磁电阻(TMR)在信息工业具有潜在的应用和对自旋电子学的建立具有重要的促进作用,因此引起广泛的关注.......
近年来,随着纳米技术的应用和发展,自旋极化电子输运问题已经成为凝聚态物理研究中的重要领域之一.本论文对其中关于磁性隧道结(MT......
复杂机电系统智能化的本质与关键在于集成，而检测技术与被检测系统的集成，是复杂机电系统智能化发展的根本保证。永磁伺服电机作为复......
本文结合磁性隧道结（FM/I/FM,其中FM 为铁磁层,I 为中间绝缘层）高的低场隧穿磁电阻效应和掺杂稀土锰氧化物Re1-xTxMnO3（Re=La、Pr 等......
根据理论模型，钙钛矿稀土锰氧化物隧道结的隧穿磁电阻(TMR)将趋于无穷大，具有巨大的潜在应用价值和学术价值，因此稀土锰氧化物隧道结......
隧穿磁电阻效应由于磁电阻效应大、耗能小等优点,在计算机硬盘的读出磁头、磁性随机存储器和各类磁传感器等方面有重要的应用价值．......
电子同时具有电荷和自旋两种属性，以电场操纵电荷属性来调制其导电行为的半导体电子学，在上世纪已经得到了飞跃的发展，摩尔定律告诉我......
本文从第一性原理出发,用线性的muffin-tin轨道(LMTO)以及原子球近似(ASA)的方法,研究了Fe| GaAs| Fe隧道结电流垂直于界面(CPP)的......
近年来，随着纳米技术的应用和发展，自旋极化电子输运问题已经成为凝聚态物理研究中的重要领域之一。本论文对其中关于磁性隧道结(Mag......
电子既有电荷又有自旋。以电子的电荷和其输运性质为理论基础而构造的装置和集成电路已经得到了广泛的应用，并且人们对电子和空穴性......
电子既有电荷又有自旋。以电子电荷为基础的微电子学在二十世纪取得了巨大成功，但是在传统的微电子器件中，电子的自旋却一直被人们忽......
铁磁颗粒磁矩的动态翻转特性是开发研制磁性传感器,磁性存储器以及磁性探测器件的重要课题。磁性存储及探测器件的制造工艺已相当......
随着科技的不断进步,电子器件尺寸也不断缩小。因此,对于电子输运特性的研究也逐渐进入到了介观领域,同时电子的自旋极化输运特性......
硅烯是一种新型的类石墨烯的二维材料，它由硅原子呈六角蜂窝状紧密排列组成，并且具有同石墨烯相类似的高载流子迁移率和电导率.与石......
本文利用紧束缚近似模型和格林函数方法研究了基于石墨烯的铁磁体/石墨烯纳米带/铁磁体结构中的电子输运性质。我们分别研究了散射......
传统电子学是在宏观尺度的范围内，利用电子具有电荷这一特性展开研究，而在介观尺度范围内，除了考虑电子电荷外，还需考虑电子的自旋所带......
石墨烯是一种能够独立存在于自然界的二维纳米材料，由于它具有普通材料所不具有的独特物理特性而成为人们研究的热点.自旋电子学是......
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0.7Sr0.3MnO3......
利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应。给出了该隧道结隧穿......
大量工作表明铁磁金属/有机分子组成的界面具有十分丰富的物理特性,是有机自旋电子学的重要研究内容.然而铁磁金属表面极易氧化,从......
1 项目概述rn1.1 项目背景rn近年来,作为凝聚态物理领域一个新兴的研究方向--自旋电子学,已持续20 年成为凝聚态物理的一个焦点研......
最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结（DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体）,在零偏压下可能......
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面......
在Slonczewski自由电子模型的基础上 ,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法 ,并以三种常见......
利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar......
利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8n......
研究发现在磁隧道结的反铁磁层和被钉扎铁磁层之间插入一层纳米氧化层,可以使磁隧道结的退火温度增加了40℃,即明显地提高了磁隧道......
