磁输运相关论文
自旋电子学是实现小型化、快速读写、高磁存储密度、高灵敏度器件的基础。目前,磁存储器（MRAM）等的研究和开发已成为自旋电子学研究......
窄禁带碲镉汞（HgCdTe）为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更......
当今大数据时代,传统硬盘在进一步提高存储密度的过程中,面临严重的超顺磁效应的制约,而存储单元分立的图案化磁记录介质有望取代......
随着微纳电子器件集成度的不断提高,半导体工艺制程不断逼近原子尺度,量子效应对器件性能的制约使得采用新的技术路径来摆脱这一困......
近年来,高极化颗粒复合体系由于其重要的理论价值和广泛的应用前景而备受关注.在介电材料中,有由分散在液态基质中的高极化介电颗......
磁电子学是当今国际凝聚态物理和材料科学界关注的方向之一，它是小型化，快速化，高存储密度，高灵敏磁性器件的基础。自旋电子学的基础研......
颗粒磁矩的动态翻转特性是开发研制磁性存储器、磁传感器、磁探测器等器件的重要课题。磁化强度取向的稳定性及翻转快慢将直接影响......
半金属氧化物由于重要的理论价值和广泛的应用前景而倍受关注。在半金属氧化物的多晶、冷压粉末以及其它材料的复合物等颗粒体系中......
本论文针对锗硅核壳型纳米线这种新型半导体材料中的空穴输运性质进行了低温下量子输运性质的实验研究。主要侧重于两个方面：一是通......
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现......
研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的......
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p......
