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集成电路行业发展至今,在以Si基器件为主流的基础上,遵循与推进着摩尔定律的演进步伐,取得了巨大成就。然而随着集成电路工作频率......
Chin等人以载流子浓度和补偿度为参量，运用变分原理从理论上计算得到了室温电子迁移率的变化图线，他们的研究成果，被大量文献引用来评......
在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上 ,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图 .同时......
